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½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(Silicon Carbide) ³ª³ëÆÄ¿ì´õ (SiC, Beta)
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£Àº ³ì»ö
¼ø      µµ
99%
Æò±ÕÀÔ°æ
<100nm
¼º      »ó
ÀÔ¹æü
ºñÇ¥¸éÀû
25-50 §³/g
°Ñº¸±â ¹Ðµµ
0.05 g/cm3
¹Ð      µµ
3.216 g/cm3
Á¦ Á¶ ¹ý
ÇöóÁ Áõ¹ß¹ý
¾ÐÃà°è¼ö
0.21 * 10-6
°æµµ(Mohs)
9.5
ºÐÇؿµµ
2973 K
Heating Power
30.343 KJ/mol
¼±ÇüÆØâ°è¼ö(373K)
6.58 * 10-6
¼±ÇüÆØâ°è¼ö(1173K)
2.98 * 10-6
Zeta Æ÷ÅÙ¼£
-27.8mV
¡Ý ÀϹÝÀûÀÎ ¼ºÁú
1. °í¼øµµÀÇ Á¼Àº¹üÀ§ÀÇ ÀÔÀÚÅ©±â ºÐÆ÷, Å­ ºñÇ¥¸éÀû
2. È­ÇÐÀû ¾ÈÁ¤¼º, °í¿ÂÀüµµ¼º, ³·Àº ¿­ÆØâ°è¼ö ¹× ³ôÀº ¸¶¸ðÀúÇ×¼º
3. ¹Ì¼Ò°æµµ(microhardness) 2840 ~ 3320kg/mm2ÀÌ°í °æµµ°¡ °­¿Á(corundum) °ú ´ÙÀ̾Ƹóµå »çÀÌ¿¡ ÀÖ´Ù.
   ±â°èÀûÀÎ °­µµ´Â °­¿Áº¸´Ù ³ô´Ù.
4. ³ª³ë SiC ´Â ¶Ù¾î³­ ¿­Àüµµ¼ºÀ» °¡Áö°í ÀÖ´Ù. ÀÌ°ÍÀº ¹ÝµµÃ¼ÀÌ°í °í¿Â »êÈ­ÀúÇ×¼ºÀ» °¡Áö°í ÀÖ´Ù.

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°í±Þ ³»È­¹°; ¿¬¸¶Á¦·Î Ưº°È÷ »ç¿ë, ¼¼¶ó¹Í º£¾î¸µ, ¼¼¶ó¹Í¿£Áø ºÎÇ°.
±×¶óÀεù ÈÙ; ¼¼¶ó¹Í ¼¶À¯, °íÁøµ¿ ¼¼¶ó¹Í, ´Ü´ÜÇÑ ÆÇ(hard disc) À̳ª ¸ÖƼĨ ¸ðµâ , °í¿Â °í¾Ð ¹ÝµµÃ¼, °í¿Â ¼¼¶ó¹Íº£¾î¸µ, °í¿Â À¯Ã¼ ¼ö¼Û ºÎÇ°, °í°­µµ ±×¶óÀεù Àç·á, °í¿Â ½Ç¸µ ¹ëºê, °í¿Â ½ºÇÁ·¹ÀÌ ³ëÁñ, Ã˸Šº¸Á¶, °Å¿ïÀ̳ª ±ØÇÑ ÃÊÀ½ÆÄ È¯°æÀÇ ÄÚÆÃ, ³ª³ëÈ­ÇÕ¹° (Áï, Si3N4/SiC, SiC/ÁßÇÕü), ¿­ÀúÇ× ¼ÒÀÚ, Al, Al2O3, Mg, °ú Ni °­È­Á¦.

¡Ý Àú Àå
½À±â°¡ Àִ°÷¿¡¼­ ¹¶Ä¡°Ô µÇ¸é ºÐ»ê¼ºÀÌ ¶³¾îÁú¼ö ÀÖ°í »ç¿ë Çϴµ¥ ¿µÇâÀÌ ÀÖ´Ù. µû¶ó¼­, º» Á¦Ç°Àº Áø°øÀ¸·Î Æ÷ÀåµÇ¾î °Ç³ÃÇÑ°÷¿¡ º¸°üÇØ¾ß ÇÏ¸ç °ø±â¿Í Á¢ÃËÇؼ­´Â ¾ÈµÈ´Ù. Ãß°¡·Î º»Á¦Ç°Àº ´­·¯Á®¼­ º¸°üµÇ¾î¼­´Â ¾ÈµÈ´Ù.